本發(fā)明公開了一種利用電容變化檢測刻蝕側(cè)壁粗糙的方法，僅在功能區(qū)域進(jìn)行刻蝕工藝前添加上述工藝流程，避免增加功能器件設(shè)計(jì)的復(fù)雜；利用檢測區(qū)域電容變化反應(yīng)功能區(qū)域側(cè)壁粗糙，減小了小尺寸帶來的誤差，同時(shí)避免裂斷面等對器件結(jié)構(gòu)有損害的操作，實(shí)現(xiàn)對刻蝕結(jié)構(gòu)的無損檢測；檢測區(qū)域數(shù)目由功能區(qū)域刻蝕窗口大小種類決定，實(shí)現(xiàn)了更加精準(zhǔn)地檢測不同條件下的刻蝕側(cè)壁粗糙目的，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對不同刻蝕條件下側(cè)壁粗糙的一步檢測。本發(fā)明設(shè)計(jì)的工藝流程簡單，各工序均為成熟技術(shù)，工藝難度較低，實(shí)現(xiàn)簡便，易于操作。