本發(fā)明公開了一種基于表面等離子體波的半導體缺陷檢測方法，用于檢測半導體表面平整度或半導體薄膜內部缺陷。本發(fā)明利用頻率小于半導體等離子體頻率的電磁波入射向刀片刃口與待測半導體之間的狹縫，從而在半導體表面產(chǎn)生表面等離子體波。該表面等離子體波可以從另一刀片刃口與待測半導體之間的狹縫位置處耦合為空間輻射電磁波，從而被探測器接收。通過改變刀片與半導體在水平方向的相對位置，當待測半導體表面或內部存在的缺陷的位置有表面等離子體波經(jīng)過時，出射電磁波信號會產(chǎn)生相應變化，從而可根據(jù)此原理對半導體表面不平整或半導體內部缺陷進行檢測。相比現(xiàn)有技術，本發(fā)明方法具有適用范圍廣、使用靈活、檢測精度高、檢測樣品無損傷等優(yōu)點。