本發(fā)明公開了一種測量半導體材料表面微結(jié)構(gòu)缺陷的顯微成像裝置和方法。所述測試裝置包括：光源、偏振調(diào)制反射差分系統(tǒng)、分光棱鏡、掃描平臺、共聚焦顯微系統(tǒng)、信號采集系統(tǒng)。根據(jù)光彈性效應原理以及晶體缺陷理論可知，半導體材料表面的微結(jié)構(gòu)缺陷雖然自身很小，但是會在其周圍產(chǎn)生一個相對自身很大的應變分布場，而該應變場會產(chǎn)生光學反射各向異性信號，該測試方法通過測量微結(jié)構(gòu)缺陷周圍每一測量點處光學反射各向異性信號，從而可以直接獲得微結(jié)構(gòu)缺陷附近與應變場相關且隨著空間位置變化的光學反射各向異性顯微成像圖，進而獲得缺陷的種類、密度和應變分布等信息。本發(fā)明對材料微結(jié)構(gòu)缺陷的表征具有操作簡便快捷、無損傷、可移植性強等優(yōu)點。