本發(fā)明公開了一種c面GaN材料應(yīng)力沿c軸分布信息的測(cè)量方法，主要解決現(xiàn)有技術(shù)不能用x射線衍射儀獲取應(yīng)力沿c軸分布的信息的問(wèn)題。其技術(shù)步驟是：將c面GaN材料水平放置于x射線衍射儀的載物臺(tái)；依次對(duì)GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面進(jìn)行對(duì)光；以不小于50nm的步長(zhǎng)減小x射線透射深度，并在各透射深度下獲取(103)晶面的布拉格角；將測(cè)得的一組布拉格角代入布拉格方程，得到一組(103)晶面的面間距；根據(jù)這一組面間距計(jì)算c面GaN材料應(yīng)力沿c軸分布的信息。本發(fā)明測(cè)試成本低，對(duì)被測(cè)材料無(wú)損傷，能獲取一組應(yīng)力沿c軸的分布信息，可用來(lái)分析c面GaN材料應(yīng)力沿c軸的分布。