本發(fā)明公開了一種基于MOSFET測量結(jié)溫的方法及其裝置，用于測量器件在規(guī)定環(huán)境溫度下和規(guī)定工作條件下的結(jié)溫，所述器件包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端和一第二輸出端，方法包括如下步驟：獲取初始電壓；獲取規(guī)定工作條件下第一輸出端對第二輸出端上消耗的功率；對第二輸出端和第一輸出端施加與上步相等的功率；獲取終測電壓；計算器件在所述規(guī)定環(huán)境溫度下和所述規(guī)定工作條件下的結(jié)溫。本發(fā)明的技術(shù)方案屬于無損傷結(jié)溫測試，可以有效的避免器件自身時間延時對測試準(zhǔn)確度的影響，可測量器件任意工作環(huán)境下真實結(jié)溫，實施方法簡單、易行、適合工程應(yīng)用并且對測試設(shè)備依賴程度較低。