本發(fā)明適用于碳化硅外延生長技術(shù)領域，提供了一種碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，該方法包括：在碳化硅襯底上的預設位置測量碳化硅襯底的厚度，獲得第一厚度；在與預設位置一致的位置分別測量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的電阻，獲得第二厚度以及方塊電阻，碳化硅片為在碳化硅襯底上生長緩沖層獲得的樣品；根據(jù)碳化硅襯底的厚度、碳化硅片的厚度以及方塊電阻，計算獲得緩沖層的電阻率，從而可以快速、準確地獲得緩沖層的電阻率，本實施例采用的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法具有無損、簡單、快速和準確性高的優(yōu)點。