一種基于表面增強(qiáng)拉曼散射效應(yīng)的碳納米管太赫茲傳感模型，由碳納米管球陣列和半導(dǎo)體基底構(gòu)成，碳納米管球陣列位于半導(dǎo)體基底材料表面，陣列結(jié)構(gòu)為線型陣列或環(huán)形陣列；碳納米管球半徑為0.1-300微米，球與球的表面距離為1-100納米；半導(dǎo)體基底為介電常數(shù)為4-20的任意半導(dǎo)體材料；太赫茲電磁波從傳感模型的側(cè)面入射，當(dāng)太赫茲電磁波的入射頻率與傳感模型的等離子共振頻率接近時(shí)，產(chǎn)生最高的等離子體局域電場(chǎng)增強(qiáng)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：該碳納米管太赫茲傳感模型，使吸附分子的接觸面積增大、靈敏度高、檢測(cè)成本低；應(yīng)用太赫茲波為入射波，使目標(biāo)待檢物得范圍更廣、生物適應(yīng)性更好，在無(wú)損探測(cè)，醫(yī)療檢測(cè)上有更廣泛的應(yīng)用。