本發(fā)明涉及電子科學(xué)與技術(shù)的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種全電極凸紋結(jié)構(gòu)CMUT器件的制備方法，將高濃度摻雜的硅晶圓作為基底，使用表面微加工技術(shù)和電鍍工藝，依次在基底上制備絕緣層、空腔、振動(dòng)薄膜、凸紋結(jié)構(gòu)的圓環(huán)，全覆蓋于振動(dòng)薄膜的頂電極、底電極極板及導(dǎo)線，完成全電極凸紋結(jié)構(gòu)CMUT器件的制備。本發(fā)明制備的全電極凸紋結(jié)構(gòu)CMUT器件，在塌陷工作模式下能有效提升輸出聲壓從而達(dá)到增加超聲波發(fā)射功率的效果；該制備方法技術(shù)成熟，適合大批量制造。該發(fā)明可用于生物醫(yī)學(xué)檢測、工業(yè)無損探傷等使用超聲檢測領(lǐng)域中超聲換能器的加工制造，并將推進(jìn)基于CMUT器件的超聲探頭技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用，具備廣闊的市場應(yīng)用前景。