本發(fā)明屬于光存儲發(fā)光材料，特別涉及可用來探測醫(yī)療x線診斷影像，工業(yè)無損探傷的聚合物表面包覆稀土、鎘離子共激活的TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez，Au0.1光存儲發(fā)光材料。本發(fā)明還提供了該及光存儲發(fā)光材料的制備方法。本發(fā)明的新型光存儲發(fā)光材料，所匹配的波長段為650納米－1000納米之間的一個可調節(jié)寬帶，適合這一波段所有的半導體激光器作為其匹配的激勵光源。大大提高了利用該樣品涂覆制成的x線影像板的使用方便性，增加了選擇匹配激勵光源的彈性范圍。特別是通過聚合物表面包覆進一步提高了其發(fā)光性能。