本發(fā)明公開了一種基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro?LED陣列的制備方法。本發(fā)明通過制備二維材料掩膜層，得到位錯密度低于1×109 cm?2的位錯過濾層，并進(jìn)一步得到位錯密度低于1×108 cm?2的單晶氮化物薄膜，能夠在大晶格失配且大熱膨脹系數(shù)失配的非單晶襯底上實現(xiàn)超高質(zhì)量的單晶氮化物功能結(jié)構(gòu)，除能夠用于制備Micro?LED器件，還能夠擴(kuò)展用于制備射頻器件、功率器件、發(fā)光器件和探測器件等，具有工藝普適性；采用激光破壞外延結(jié)構(gòu)與非單晶襯底的界面結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)外延結(jié)構(gòu)的無損分離和非單晶襯底的多次重復(fù)利用，節(jié)能環(huán)保、工藝簡單并適于批量生產(chǎn)。