一種半導(dǎo)體器件電性失效的檢測(cè)方法，包括：步驟S1：灰階收集；a、以所述電子束缺陷掃描儀能夠掃描的最小區(qū)域作為掃描單元區(qū)域，通過(guò)程式設(shè)定為缺陷而被檢測(cè)，并拍攝電子顯微鏡圖譜；b、以半導(dǎo)體器件作為掃描對(duì)象，并在不同條件下掃描，進(jìn)行灰階分析；步驟S2：掃描條件篩選，進(jìn)行電性測(cè)試；獲得相似度數(shù)值；定義最優(yōu)掃描條件；步驟S3：進(jìn)行定點(diǎn)灰階分析，獲得電性有效的灰階收集數(shù)據(jù)區(qū)間；步驟S4：電性失效區(qū)域預(yù)報(bào)。本發(fā)明通過(guò)電子束缺陷掃描儀所獲得的灰階收集數(shù)據(jù)與所述電性測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可有效的預(yù)報(bào)電性失效區(qū)域和電性有效區(qū)域，為監(jiān)測(cè)離子注入工藝優(yōu)劣提供依據(jù)，并為即將采取的改善措施提供技術(shù)支持，為縮短半導(dǎo)體器件的研發(fā)周期提供有力的保障。