本發(fā)明公開一種動態(tài)估計缺陷所造成記憶體特征失效的方法,包括:(1)建立設計版圖圖形失效和記憶體特征失效相對應的數(shù)據(jù)庫;(2)判斷生產(chǎn)線缺陷所造成的版圖圖形失效;(3)判斷圖形失效特征相對應的記憶體特征失效;(4)判斷整個記憶體芯片是否成品。本發(fā)明利用記憶體設計版圖和生產(chǎn)線上缺陷檢測結果相結合來動態(tài)地預估落在記憶體內(nèi)部的生產(chǎn)缺陷所造成的特征失效的方法,結合可用的修復資源做來初步判斷該記憶體成品與否。本發(fā)明方法可以對缺陷進行動態(tài)即時的分析以及在電學測量之前估計成品與否,可用于集成電路制造時動態(tài)地預估記憶體生產(chǎn)線上檢測到的缺陷所造成的記憶體特征失效。