本發(fā)明公開了一種避免燒傷的功率半導(dǎo)體芯片失效定位方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：將芯片置于難燃液體中；通過源表為芯片提供預(yù)定電壓或預(yù)定電流；通過微光顯微鏡探測芯片的失效位置。解決了芯片的保護(hù)層損傷處或原始失效位置在加載電壓后產(chǎn)生燒痕，導(dǎo)致后續(xù)失效分析增加難度的問題，達(dá)到了保持原始失效位置的形貌，避免在原始失效位置及有缺陷的保護(hù)結(jié)構(gòu)處產(chǎn)生額外的燒痕的效果。