本公開是關(guān)于一種異常檢測方法及裝置、電子設(shè)備以及計算機可讀存儲介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)測試技術(shù)領(lǐng)域，可以應(yīng)用于確定晶圓測試過程中異常產(chǎn)生原因的場景。該方法包括：獲取測試主體的測試數(shù)據(jù)；確定測試數(shù)據(jù)對應(yīng)的至少一測試指標(biāo)；測試指標(biāo)包括良率參數(shù)、阻值參數(shù)以及失效位元區(qū)域的一種或多種；確定測試主體在各測試指標(biāo)下的異常判定結(jié)果；根據(jù)確定出的異常判定結(jié)果確定測試主體出現(xiàn)異常的異常原因類型。本公開通過分析多維度下的晶圓測試結(jié)果，快速分析出測試表現(xiàn)異常的原因，并及時預(yù)警。