本發(fā)明提供一種檢測經(jīng)平坦化處理的晶片的平坦程度的方法，包括：在形成有金屬塞的晶片表面形成金屬層，經(jīng)刻蝕，使其形成多個(gè)彼此間隔的金屬區(qū)；進(jìn)行平坦化處理；形成金屬測試層；局部刻蝕金屬測試層，使其形成具有多道彎折的蛇形金屬測試區(qū)，所形成的蛇形金屬測試區(qū)位于與金屬區(qū)間隔處相對應(yīng)的位置上，并且使蛇形金屬測試區(qū)的兩端分別與未刻蝕的金屬測試層連接，形成試樣金屬測試層；分別檢測試樣金屬測試層和對照金屬測試層的電參數(shù)，通過兩者電參數(shù)值之間的接近程度來評估晶片的平坦程度。本發(fā)明在制備CMOS器件過程中即可將平坦程度較差的芯片報(bào)廢，從而避免進(jìn)行后續(xù)的封裝測試或者器件在后續(xù)應(yīng)用中失效而帶來更大的危害或造成更大的損失。