本發(fā)明公開(kāi)了一種SRAM電磁抗擾度的片上測(cè)量方法和系統(tǒng)，利用電磁干擾檢測(cè)模塊的信號(hào)的周期性不受封裝影響的特點(diǎn)，將內(nèi)部電源Pad的干擾幅度轉(zhuǎn)換成周期性的信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)該信號(hào)的頻率就可以表征電源電壓干擾幅度ARFI。并且通過(guò)功能測(cè)試模塊就可以產(chǎn)生SRAM讀、寫(xiě)操作的測(cè)試向量，并且判斷SRAM受擾的失效情況。主要還會(huì)提供一個(gè)反饋信號(hào)，控制環(huán)形振蕩器的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，降低環(huán)形振蕩器的功耗，將SRAM不同工作狀態(tài)讀或者寫(xiě)分開(kāi)進(jìn)行抗擾度測(cè)試，互不影響。