一種實(shí)時(shí)動態(tài)無損測試儲層zeta電位的方法，清潔處理二氧化硅半球樣品，放置二氧化硅樣品進(jìn)入樣品池；啟動二次諧波光譜設(shè)備，并開始進(jìn)行波數(shù)和能量檢查；首先測試二氧化硅半球單獨(dú)存在下去離子水和目標(biāo)溶液的二次諧波光譜信號強(qiáng)度；放置儲層樣品進(jìn)入樣品池，獲取總體樣品存在下的信號強(qiáng)度：測量的總體樣品信號強(qiáng)度減去二氧化硅樣品強(qiáng)度得到儲層的二次諧波樣品強(qiáng)度；二次諧波信號強(qiáng)度歸一化處理；進(jìn)行儲層二次諧波的pH滴定實(shí)驗(yàn)，獲取儲層等電點(diǎn)(pzc)性質(zhì)，依次確定二階磁化率的大小χ(2)；數(shù)學(xué)計(jì)算得到儲層的zeta電位；本發(fā)明能夠?qū)崟r(shí)動態(tài)無損測試在任何溶液環(huán)境下儲層的zeta電位，彌補(bǔ)了以往zeta電位儀測量在高濃度和高pH值失效的不足。