本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N三維堆疊存儲(chǔ)芯片的測(cè)試方法及三維堆疊存儲(chǔ)芯片。該存儲(chǔ)芯片包括堆疊互連的至少兩個(gè)晶粒，該測(cè)試方法包括：控制至少兩個(gè)晶粒中之一獲取期望數(shù)據(jù)；通過(guò)至少兩個(gè)晶粒中之另一的讀寫數(shù)據(jù)線得到測(cè)試數(shù)據(jù)，比對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)和期望數(shù)據(jù)以產(chǎn)生相應(yīng)的比對(duì)結(jié)果，從而基于比對(duì)結(jié)果確定至少兩個(gè)晶粒之間的連通性；其中，堆疊互連的至少兩個(gè)晶粒的讀寫數(shù)據(jù)線通過(guò)至少兩個(gè)晶粒間的堆疊互連結(jié)構(gòu)彼此連接。該測(cè)試方法能夠定位三維堆疊產(chǎn)品因互連工藝引起失效，以及提供精準(zhǔn)的有互連問(wèn)題的互連線路信息，繼而間接或直接解決三維堆疊存儲(chǔ)芯片因互連工藝問(wèn)題引起的產(chǎn)品良率較低的問(wèn)題。