本實用新型公開一種MSM型金剛石快中子探測器的設計，該探測器包括底層和頂層Ti/Al歐姆接觸電極層，金剛石單晶層，Si3N4絕緣層,SiO2鈍化層，PCB板，鋁線，導電銀漿和SMA接頭。通過SMA接頭引出探測器與后級電子學的連接，收集快中子與金剛石產生的電荷。在頂層電極的表面沉積了一層SiO2鈍化層，防止器件機械性損傷，有助于表面沾污時清洗，保護水汽環(huán)境中器件失效。Ti/Al金屬的厚度為50/800nm。由于金剛石是目前已知的半導體材料中最耐輻照耐高溫的材料，且金剛石中的12C與快中子能直接發(fā)生核反應，本專利設計可應用于快中子的探測，如中子能譜測量、計數(shù)、束流監(jiān)測和位置分辨等。