具有50–100μm厚度的4H?SiC磊晶片在4度偏軸襯底上生長(zhǎng)。通過(guò)檢測(cè)所述磊晶片，獲得2–6cm-2范圍內(nèi)的表面形態(tài)缺陷密度。在這些磊晶片上獲得2–3μs范圍內(nèi)的一致載流子壽命。證實(shí)了所述磊晶片中非常低的BPD密度，BPD密度低至低于10cm-2。使用具有50-100μm厚度的外延晶片制造二極管。高電壓測(cè)試證實(shí)了接近4H-SiC的理論值的閉鎖電壓。在50μm厚外延膜上制造的器件中實(shí)現(xiàn)了高達(dá)8kV的閉鎖電壓，并且在80μm厚膜上制造的器件中獲得了高達(dá)10kV的閉鎖電壓。失效分析證實(shí)了三角形缺陷，其由外延過(guò)程中存在的表面損傷或顆粒形成，是致命缺陷并造成所述器件在反向偏置操作中失效。另外，在JBS二極管的高閉鎖電壓下的漏電流顯示與螺旋位錯(cuò)密度無(wú)關(guān)聯(lián)。還觀察到，外延層中的基面位錯(cuò)的主要來(lái)源源于晶體生長(zhǎng)過(guò)程。