本發(fā)明公開(kāi)了一種16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法，涉及芯片單粒子效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)領(lǐng)域，解決高端制程單粒子效應(yīng)測(cè)試的技術(shù)問(wèn)題，方法包括：S1.使用Verilog HDL硬件描述語(yǔ)言編寫(xiě)SRAM型FPGA中指定模塊的電路配置文件；S2.設(shè)定電流閾值并配置到SRAM型FPGA的開(kāi)發(fā)板的電源控制模塊；S3.輻照源以初始輻照量輻照SRAM型FPGA；S4.使用Maxim DigitalPower電流檢測(cè)軟件實(shí)時(shí)讀取SRAM型FPGA的電流值，若電流值超過(guò)電流閾值，則進(jìn)行失效機(jī)理分析，試驗(yàn)結(jié)束；S5.使用Beyond Compare軟件讀取SRAM型FPGA的rbd配置信息文件，若讀取正常，則通過(guò)比較輻照前后讀取的rbd配置信息文件的配置信息；否則，記錄指定模塊發(fā)生單粒子功能中斷；S6.加大輻照源的輻照量，執(zhí)行步驟S4。