本發(fā)明涉及一種樣品去層次方法，用于半導(dǎo)體芯片的失效分析，包括以下步驟：步驟S1、所述半導(dǎo)體芯片具有一目標(biāo)區(qū)域；步驟S2、研磨所述半導(dǎo)體芯片，并停止于位于所述層間介質(zhì)層上表面的所述金屬層；步驟S3、形成一保護(hù)膜層，所述保護(hù)膜層覆蓋所述目標(biāo)區(qū)域的正上方的所述金屬層的上表面；步驟S4、繼續(xù)研磨所述半導(dǎo)體芯片，去除位于所述保護(hù)膜層下方的所述金屬層之外的所述金屬層；步驟S5、去除所述保護(hù)膜層；步驟S6、去除所述金屬層；步驟S7、去除所述半導(dǎo)體襯底上表面的其余物質(zhì)，露出所述半導(dǎo)體襯底。其優(yōu)點(diǎn)在于，設(shè)置一層保護(hù)膜層，避免出現(xiàn)化學(xué)試劑與金屬層反應(yīng)，保障半導(dǎo)體襯底不被損傷以及污染；有效提高失效分析的準(zhǔn)確性，提高工作效率。