本發(fā)明公開了非接觸式判斷半導體材料導電類型的方法?，F有方法在測試后會造成半導體材料表面損壞。本發(fā)明方法在待測半導體晶片表面上方布置測量電極和參考電極，電極為透明導電玻璃，導電面朝下；兩個電極的導電面分別接接運算放大器的同向和反向輸入端；測量電極上方設置加熱用光源。首先關閉光源，調節(jié)運算放大器輸出電壓為0，然后開啟光源加熱晶片局部表面，當運算放大器有信號輸出，關閉光源；3～5秒后，檢測運算放大器的輸出電壓極性：如果極性為正，則半導體材料為P型；如果極性為負，則半導體材料為N型。本發(fā)明方法避免了樣品損傷，操作簡單，易實現自動化，同時避免半導體材料因受熱而進入本征激發(fā)狀態(tài)，導致判斷失效或者錯誤判斷。