二極管芯片。涉及一種半導(dǎo)體分立器件。能克服檢測中放電,使用中“爬電”現(xiàn)象。芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護(hù)層,芯片的水平投影為無折角的封閉形狀;芯片的縱向截面呈凸字形,側(cè)邊上部為凹弧形,下部為直邊;側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜;玻璃質(zhì)保護(hù)層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%。本實(shí)用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電,提高耐壓能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用為吸收芯片表面可動(dòng)離子(雜質(zhì)),增強(qiáng)器件穩(wěn)定性、提高二極管耐壓能力。溝槽底部仍會(huì)保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金時(shí)會(huì)有金層附著在上面。