本公開提供一種IGBT模塊壽命的統(tǒng)計(jì)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法包括獲取待測IGBT模塊的集電極與發(fā)射極之間的電壓值隨功率循環(huán)次數(shù)變化的變化曲線；以所述待測IGBT模塊內(nèi)的所有鍵合點(diǎn)為子樣本，獲取所述變化曲線上每個(gè)電壓突變點(diǎn)對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點(diǎn)的總失效率；根據(jù)所述變化曲線上所有電壓突變點(diǎn)對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點(diǎn)的總失效率，得到鍵合點(diǎn)的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關(guān)系式；根據(jù)鍵合點(diǎn)的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關(guān)系式，獲得預(yù)設(shè)鍵合點(diǎn)失效率對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù)，以得到所述待測IGBT模塊的循環(huán)壽命。該方法可以減少IGBT模塊樣本數(shù)量并節(jié)省大量的試驗(yàn)時(shí)間，經(jīng)濟(jì)成本和時(shí)間成本得到很好的控制。