本發(fā)明公開了一種熱擴(kuò)散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級(jí)老化方法,包括以下步驟:1)光刻淀積了金屬的硅片,形成管芯電極及老化所需引線;2)為老化引線接電極,并將所述硅片整體放入老化設(shè)備中進(jìn)行老化;3)老化完成后將所述老化引線刻蝕掉。本發(fā)明利用管芯在硅片上有規(guī)律分布的特點(diǎn),通過巧妙的引線設(shè)計(jì)在硅片上一次完成所有管芯的互連,在老化時(shí)大圓片上所有的管芯都得到電老化,使早期失效管芯在終測(cè)時(shí)一并被剔除,從而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相對(duì)于現(xiàn)在管芯在壓焊封裝后再進(jìn)行老化篩選,簡(jiǎn)化了老化方法,減少了所需使用的老化設(shè)備,大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生產(chǎn)成本。