本發(fā)明提供了一種透射電鏡樣品的制備方法，首先在芯片的正面粘貼一金屬環(huán)；然后剝離所述芯片的背面至所需觀測(cè)的結(jié)構(gòu)層；最后切除所述金屬環(huán)外圍的芯片，保留了所述金屬環(huán)連同所述金屬環(huán)內(nèi)的芯片，形成最終的透射電鏡樣品。此時(shí)整個(gè)金屬環(huán)的內(nèi)部均為薄區(qū)，進(jìn)一步的，所述樣品的面積已達(dá)mm2級(jí)別，實(shí)現(xiàn)了大面積透射電鏡觀測(cè)的效果，透射電鏡能夠?qū)υ摌悠愤M(jìn)行大面積觀測(cè)以尋找失效結(jié)構(gòu)。