本發(fā)明涉及一種避免反濺射層剝離的SIP系列靶材及其用途。所述SIP系列靶材包括陰極金屬，所述陰極金屬邊緣的倒角半徑R≥4mm。針對現(xiàn)有技術(shù)中，常規(guī)的SIP系列靶材，陰極金屬與反濺射層間的界面設(shè)計并不能很好地緩解因熱膨脹系數(shù)差異而產(chǎn)生的界面應(yīng)力不匹配和應(yīng)力集中問題，存在反濺射層剝落的風(fēng)險；且反濺射層剝落會產(chǎn)生異常物理尖端，從而引發(fā)尖端放電，導(dǎo)致后續(xù)芯片的電性測試失效及硅片報廢的問題。本發(fā)明所述SIP系列靶材能夠有效地緩解陰極金屬與反濺射層間的應(yīng)力不匹配和應(yīng)力集中情形，能夠避免反濺射層剝離和等離子體尖端放電的問題。