本發(fā)明公開了一種MTP器件，包括：作為選擇管、存儲管和字線管的第一至三NMOS管都形成于P阱中，位于中間的第二NMOS管的多晶硅柵為多晶硅浮柵，多晶硅浮柵的第一延伸端形成編程耦合結(jié)構(gòu)，第二延伸端形成擦除結(jié)構(gòu)；多晶硅浮柵的第二延伸端跨越由第一N阱組成的第一有源區(qū)；擦除結(jié)構(gòu)還包括第一P+區(qū)和第一N+區(qū)，兩注入?yún)^(qū)在沿和多晶硅浮柵的第二延伸端平行的方向上相互交疊于第一有源區(qū)，交疊區(qū)大小根據(jù)第一N+區(qū)和第一有源區(qū)的套刻精度確定，保證在套刻偏差最大的條件下能實現(xiàn)有效擦除的交疊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了一種MTP器件的制造方法。本發(fā)明能提高器件的擦除效率，防止MTP擦除失敗以及由此而帶來的測試失效的問題。