本發(fā)明提供一種閃存器件制造方法，通過將測量出的平坦化后的淺溝道隔離結(jié)構(gòu)位于所述半導體襯底表面上方的臺階高度反饋到對所述半導體襯底上方用于形成字線多晶硅層等區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回刻蝕工藝中，進而通過最合適的回刻蝕深度來保證后續(xù)形成的字線多晶硅層下方的氧化層的厚度以及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度的穩(wěn)定性，從而避免因淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度過低引起閃存產(chǎn)品的編程以及編程干擾失效或者因淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度過高引起多晶硅殘留問題，提高閃存產(chǎn)品的可靠性和良率。