一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，所述形成方法可以包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括芯片區(qū)以及切割道區(qū)；在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成頂層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)；形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述頂層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述切割道區(qū)的鈍化層高于所述芯片區(qū)的鈍化層；對所述鈍化層進行刻蝕，以暴露出所述芯片區(qū)和切割道區(qū)內(nèi)的頂層金屬互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明方案有助于避免引線落在接地的測試鍵上，降低芯片發(fā)生短路失效的可能性。