本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片篩選方法。該方法包括對(duì)垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行老化篩選的步驟；在所述老化篩選之前，先對(duì)垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行預(yù)篩選，具體方法如下：用直流電流脈沖對(duì)垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行循環(huán)沖擊，并在沖擊完成后通過(guò)性能測(cè)試將失效芯片剔除；所述直流電流脈沖的電流大小為Ith+S，脈沖寬度為50ms～200ms，Ith為所述垂直腔面發(fā)射激光器芯片的閾值電流，S的取值范圍為20mA～40 mA。本發(fā)明還公開(kāi)了一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片篩選裝置。本發(fā)明可有效剔除現(xiàn)有技術(shù)難以完全剔除的存在芯片量子阱區(qū)域內(nèi)的黑色線缺陷和氧化層裂紋缺陷的不良芯片，從而大幅降低老化篩選的漏篩率并提高老化篩選的效率。