本發(fā)明公開了一種硅片薄膜的生長方法，包括：測得一控制硅片中央位置與周邊位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上進行第一次薄膜生長；在第一次生長的薄膜上進行光刻膠旋涂；利用硅片周邊曝光系統(tǒng)對硅片周邊位置進行曝光，經(jīng)顯影后將部分光刻膠去除；通過刻蝕將硅片部分薄膜去除；去除剩余的光刻膠后，利用所述厚度比進行第二次薄膜生長，通過兩次薄膜生長使薄膜達到要求的厚度。本發(fā)明所述硅片薄膜的生長方法，能使硅片上生長的薄膜其中央位置和周邊位置的薄膜厚度一致，減少硅片周邊芯片的失效率，提高產(chǎn)品的成品率。