本發(fā)明提供一種溝槽式MOSFET的制造方法，通過在形成溝槽后去除抗反射涂層之前，先在所述溝槽的側壁和底部上形成一層氧化硅保護層，然后再使用加熱至一定溫度的磷酸來腐蝕去除抗反射涂層，可以避免所述磷酸對所述溝槽側壁和底部造成損傷；在去除抗反射涂層后，去除所述氧化硅保護層，而后在所述溝槽內形成的柵氧化層具有較高的質量，在測試或使用的過程中不會出現(xiàn)破損而形成柵極與源極的泄露通道，進而使得整個溝槽式MOSFET器件失效的問題。