1.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種調(diào)焦調(diào)平檢測裝置。背景技術(shù)：2.投影光刻機(jī)是一種把掩模圖形通過投影物鏡成像到硅片面的設(shè)備，為了掩模圖形能夠準(zhǔn)確曝光，需由調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)精確控制硅片面位于指定曝光位置。通過檢測曝光視場內(nèi)硅片面的高度與傾斜信息來判斷硅片面是否正確調(diào)焦調(diào)平，根據(jù)測量結(jié)果，調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)進(jìn)一步調(diào)整工件臺(tái)的位置，使工件臺(tái)上的硅片面位于投影物鏡的最佳焦平面處。3.為了獲得整個(gè)曝光場的硅片面信息，通常在硅片面上標(biāo)記多個(gè)測量點(diǎn)，根據(jù)每個(gè)測量點(diǎn)的高度和傾斜信息得到整個(gè)硅片面的高度和傾斜信息。4.圖1為典型的基于圖像處理技術(shù)的調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)(fls)三角測量原理示意圖，來自投影支路的光線入射到硅片面后，經(jīng)硅片面反射到達(dá)探測支路，最終被光電探測器所接收。當(dāng)硅片面的上表面位置與投影物鏡最佳焦平面位置的高度偏差，即離焦量為δz時(shí)，光斑在光電探測器上所成像的位置改變量δy與δz之間的關(guān)系為：5.其中β為成像放大倍率。6.因?yàn)閺墓杵娣瓷涞墓饩€是傾斜的，為了在探測器上接收到清晰像，探測面上的入射角與硅片面的反射角需滿足scheimpflug條件。 scheimpflug條件如圖2所示，表示與光軸成一定夾角(小于90°)的物面若要在像面清晰成像，則該像面也與光軸成一定夾角(小于90°)，物面與像面的傾斜角度、θ與光學(xué)系統(tǒng)放大倍率m相關(guān)，近軸條件下，滿足以下公式：[0007][0008]目前，為了減小被測物膜層間的干涉效應(yīng)，通常選用寬波段作為照明光源，光源經(jīng)過透射式鏡組準(zhǔn)直后，入射到投影狹縫面。而由于光學(xué)材料的色散特性與波長相關(guān)，導(dǎo)致不同波長的軸外光線在投影狹縫面上的入射角度不同；另外，隨著探測視場的增大，邊緣視場的照明光線的準(zhǔn)直特性也會(huì)不佳。上述兩點(diǎn)引起投影狹縫面的不同波長不同視場光線出射角度不同，根據(jù)scheimpflug條件，與投影狹縫面共軛的硅片面的光線入射角也會(huì)跟著變化，即不同波長不同視場下，離焦量δz有不同的靈敏度系數(shù)。當(dāng) fls測量離焦量δz時(shí)，忽略了這種微小的差別，對不同波長不同視場選用了相同的硅片面入射角來計(jì)算，從而影響了fls的測量精度。[0009]因此需要一種新裝置可以解決上述問題，讓靈敏度系數(shù)與波長和視場不相關(guān)，提高fls測量精度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種調(diào)焦調(diào)平檢測裝置，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中對不同波長不同視場選用了相同的硅