商品描述

【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)

【爐管尺寸】φ40--φ100mm

【加熱區(qū)】300mm/440mm

【額定溫度】1200℃

【控溫精度】±1℃

【應(yīng)用領(lǐng)域】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)，最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。

性能特點(diǎn)：

CVD管式爐系統(tǒng)由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源

管式爐可選擇不同的管徑和恒溫區(qū)的長(zhǎng)度，爐管兩端裝有高真空不銹鋼密封法蘭;

真空獲得系統(tǒng)可根據(jù)試驗(yàn)要求選擇不同的真空泵，旋片式機(jī)械真空泵真空度≤5pa，分子泵真空機(jī)組真空度1×10-4pa;

氣路供氣系統(tǒng)可選擇3路浮子手動(dòng)和3路自動(dòng)質(zhì)量流量系統(tǒng)

真空測(cè)量為數(shù)字復(fù)合真空機(jī)或皮拉尼真空計(jì)

等離子體放電選擇13.56Mhz的設(shè)備電源，功率輸出可選擇200W、300W和500W

管式爐可選擇單溫區(qū)300mm和440mm，也可選擇三溫區(qū)或多溫區(qū)進(jìn)行溫度的梯度試驗(yàn)

溫控器內(nèi)置的RS485數(shù)字通信端口和USB適配器作為可選配置，可連接PC，用于系統(tǒng)的遠(yuǎn)程控制和監(jiān)視，還可以保存或?qū)С鰷y(cè)試結(jié)果。

產(chǎn)品符合歐盟CE標(biāo)準(zhǔn)。