設(shè)備介紹

CVD 成長(zhǎng)系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)，它由真空管式爐，多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。CVD真空系統(tǒng)可選配分子泵系統(tǒng)或旋片泵系統(tǒng)，最高真空度可達(dá) 10*-5pa， 多路氣源混合系統(tǒng)可選配浮子流量計(jì)或質(zhì)子流量計(jì)，量程范圍大，控制精度高; 本系列化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)另有多種功能接受客戶(hù)要求定制。該cvd設(shè)備適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

耐高溫節(jié)能爐膛

爐膛采用多晶纖維材料，保溫性能好，拉伸強(qiáng)度高，無(wú)雜球，純度高，節(jié)能效果明顯優(yōu)于國(guó)內(nèi)纖維材料

爐體安全防燙設(shè)計(jì)

爐體采用雙層內(nèi)膽式結(jié)構(gòu)，中間有氣隙隔離，即使?fàn)t膛溫度達(dá)到最高點(diǎn)， 爐體表面仍然可以安全觸摸無(wú)滾燙感覺(jué)

加熱狀態(tài)便于觀察

爐體配有輸出電壓和輸出電流監(jiān)測(cè)表，爐子加熱狀態(tài)一目了然

多重安全防護(hù)功能

超溫報(bào)警并斷電，漏電保護(hù)，操作安全可靠具有多重防護(hù)功能

快速升降溫功能

帶滑道，可滑動(dòng)爐膛，實(shí)現(xiàn)快速升溫或冷卻功能

智能化PID微電腦溫控

智能化 30 段 PID 微電腦可編程自動(dòng)控制，溫控精度可達(dá)±1℃

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品名稱(chēng) CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào) KJ-TCVD1100-S60CK1

管式加熱系統(tǒng)

滑道 帶滑道，可滑動(dòng)爐膛，實(shí)現(xiàn)快速升溫或冷卻功能

加熱區(qū)長(zhǎng)度 400mm 單溫區(qū) (其他尺寸可按客戶(hù)需求定制)

爐管尺寸 60mm x(1200~1400mm) 外徑 x 長(zhǎng) (其他尺寸可按客戶(hù)需求定制)

爐管材質(zhì) 高純石英管

工作溫度 ≤ 1100℃

溫控系統(tǒng) 智能化 30 段 PID 微電腦可編程自動(dòng)控制

溫控精度 ±1℃ (具有超溫及斷偶報(bào)警功能)

加熱速率 建議 0~10℃/min

加熱元件 電阻絲

可通氣體 氮?dú)狻鍤獾榷栊詺怏w

測(cè)溫元件 N型熱電偶

殼體結(jié)構(gòu) 雙層殼體結(jié)構(gòu)帶風(fēng)冷系統(tǒng)

真空法蘭 法蘭一端帶 1/4”卡套接頭進(jìn)氣口，另一端帶控壓 閥,氣動(dòng)泄壓閥和放氣閥。

供氣系統(tǒng) 四路精密質(zhì)子流量計(jì)：測(cè)量精度： ±1% F.S.

流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶(hù)要求 )

流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶(hù)要求)

流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶(hù)要求)

流量 范圍: : 0~500 sccm (按客戶(hù)要求)

通過(guò)觸屏來(lái)調(diào)節(jié)氣體流量

真空系統(tǒng) 旋片泵，真空度在空爐冷態(tài)可達(dá) 1pa，

真空計(jì)：進(jìn)口數(shù)顯真空計(jì)實(shí)時(shí)顯示真空度，精度高。

氣體定量系統(tǒng) 整體可以控制壓力范圍 -20kpa 到 20 kpa (相對(duì)壓力)

自動(dòng)化控制觸摸屏 觸摸屏界面集成控制爐子，真空泵，質(zhì)量流量計(jì)以氣體定量系 統(tǒng)。爐子部分需要先設(shè)好溫度時(shí)間曲線。集成控制部分可以控制 溫度曲線的啟停，真空度，氣體流量,泄壓閥等。

化學(xué)氣相沉積所用的反應(yīng)體系必須滿(mǎn)足以下三個(gè)條件：

1、在沉積溫度下，反應(yīng)物必須有足夠高的蒸汽壓。假如反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài)，沉積裝置就比較簡(jiǎn)單;假如反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)性很小，就需要對(duì)其加熱，使其揮發(fā)，而且一般還要用運(yùn)載氣體把它帶入反應(yīng)室，這樣反應(yīng)源到反應(yīng)室的管道也需要加熱，以防止反應(yīng)氣體在管道中冷凝下來(lái)。

2、反應(yīng)的生成物，除了所需要的沉積物為固態(tài)薄膜外，其余都必須是氣態(tài)。

3、沉積薄膜的蒸汽壓應(yīng)足夠低，以保證在整個(gè)沉積反應(yīng)過(guò)程中，沉積的薄膜能維持在具有一定溫度的基體上?；w材料在沉積溫度下的蒸汽壓也必須足夠低。

化學(xué)氣相沉積的原理：

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

(1)形成揮發(fā)性物質(zhì)

(2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域;

(3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì)。

基本的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。