設(shè)備介紹

PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。

工作原理

PECVD技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。在反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。其工藝原理示意圖如圖1所示。


基本結(jié)構(gòu)

PECVD設(shè)備主要由真空和壓力控制系統(tǒng)、淀積系統(tǒng)、氣體及流量控制、系統(tǒng)安全保護(hù)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制等部分組成。其設(shè)備結(jié)構(gòu)框圖如下圖所示。


產(chǎn)品優(yōu)勢

1、加熱元件采用摻鉬合金加熱絲，爐膛保溫保溫材料采用氧化鋁陶瓷纖維材料，保溫性能好，耐用，拉伸強(qiáng)度高，無雜球，純度高，節(jié)能效果明顯。

2、整個(gè)爐體采用雙層內(nèi)膽式結(jié)構(gòu)，中間有氣隙隔離，即使?fàn)t膛溫度高達(dá)1200℃，爐體表面仍然可以安全觸摸無滾燙感覺。

3、爐膛采用節(jié)能材料制作，整機(jī)能耗僅僅只有同等傳統(tǒng)電爐的1/3，節(jié)能環(huán)保。

4、爐體配有：輸出電壓和輸出電流監(jiān)測表，爐子加熱狀態(tài)一目了。

5、超溫報(bào)警并斷電，漏電保護(hù)，操作安全可靠具有多重防護(hù)功能。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品名稱 管式PECVD系統(tǒng)

滑道管式爐部分

產(chǎn)品型號 KJ-T1200

加熱區(qū)長度 300mm(其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制)

爐管尺寸 直徑120*1600mm(其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制)

工作溫度 ≦1100℃

最高溫度 1200℃

測溫元件 N型熱電偶

溫控系統(tǒng) 30段PID微電腦可編程自動(dòng)控制

保溫溫控精度 ±1℃

溫控保護(hù) 具有超溫和斷偶保護(hù)功能

升溫速率 0-10℃/min

加熱元件 電阻絲

爐膛材料 采用多晶纖維爐膛材料，材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡

密封系統(tǒng) 該爐爐管與法蘭之間采用O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復(fù)撤卸，氣密性好

爐 管 高純石英管

法 蘭 304不銹鋼密封法蘭，已安裝機(jī)械壓力表和不銹鋼截止閥，方便拆卸，放取材料

爐體結(jié)構(gòu) 厚鋼板雙向滑軌，可實(shí)現(xiàn)管式爐移動(dòng)，達(dá)到快速升溫和降溫

真空系統(tǒng)部分

名稱 旋片泵

主要參數(shù) 極限真空度10Pa(包含KF25接口、真空擋板閥和可移動(dòng)箱體)

真空顯示 電阻數(shù)顯真空計(jì)，顯示范圍標(biāo)準(zhǔn)大氣壓--10-1pa

氣路系統(tǒng)部分

名稱 四路質(zhì)量流量計(jì)

氣路 四路

流量控制 數(shù)字顯示，每路氣體含有針閥單獨(dú)控制，氣體流量自動(dòng)控制

進(jìn)出氣口 四進(jìn)一出，內(nèi)置精密混氣罐

鏈接方式 雙卡套接頭

流量范圍 MFC1-MFC4：0-500sccm(量程可選)

控制精度 ±1.5%F.S左右，量程不同，略有差別

等離子射頻器部分

名稱 射頻自動(dòng)匹配器

匹配功率范圍 0-500W

工作頻率 13.56MHZ+0.005%

正常工作反射功率 <3W

匹配時(shí)間 <3S

傳輸效率 >90%