設(shè)備介紹
該產(chǎn)品是由射頻電源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成,適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現(xiàn)TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料,尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
產(chǎn)品優(yōu)勢
更好的沉積效率
PECVD比普通CVD具有更高的化學(xué)氣相沉積速率、更好的均勻性、一致性和穩(wěn)定性
所需溫度更低
PECVD對于化學(xué)氣相沉積需要比普通CVD更低的溫度
成品質(zhì)量好
具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品名稱 PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品型號 KJ-T1200-PE
外殼 不銹鋼
加熱元件 電阻絲
最高溫度 1200°C
工作溫度 ≤1100 °C
溫度均勻 ±1°C
升溫速率 ≤10 °C/min
爐管尺寸 Φ200×1400mm(其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制)
管材 優(yōu)質(zhì)石英管
加熱區(qū)長度 300mm(其他尺寸可根據(jù)客戶需求定制)
密封 法蘭
溫度控制 30 個可編程段,用于準(zhǔn)確控制加熱速率、冷卻速率和停留時間。
內(nèi)置 PID 自動調(diào)諧功能,具有過熱和熱電偶斷路保護(hù)。
過溫保護(hù)和警報允許在沒有服務(wù)人員的情況下進(jìn)行操作。
+/- 1 oC 溫度精度。
準(zhǔn)確 ±1°C