礦山金屬探測機(jī)器人 1214     

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一種礦山金屬探測機(jī)器人，它包含底座、電機(jī)、支撐架、擺動(dòng)軸、轉(zhuǎn)柱、支撐臂、活塞缸、手臂、標(biāo)記缸和探測臂；所述底座下部設(shè)計(jì)有滾輪；所述底座表面前后兩端安裝有電機(jī)；所述底座表面中部安裝有支撐架；所述支撐架內(nèi)部安裝有搖擺缸；所述支撐架上部安裝有擺動(dòng)軸；所述擺動(dòng)軸和搖擺缸連接；所述擺動(dòng)軸上部連接轉(zhuǎn)柱；所述擺動(dòng)軸中部通過螺旋安裝支撐臂；所述支撐臂和轉(zhuǎn)柱之間通過螺旋固定活塞缸；所述支撐臂木端連接手臂；所述手臂表面設(shè)計(jì)有標(biāo)記缸；所述手臂另一端連接探測臂；所述探測臂前端安裝有電磁圈。

鈣鈦礦納米晶隨機(jī)激光發(fā)射機(jī)制的探測裝置 817     

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本實(shí)用新型公開了一種鈣鈦礦納米晶隨機(jī)激光發(fā)射機(jī)制的探測裝置，包括：激光器、工作臺(tái)、光纖探頭、透鏡、光譜儀，工作臺(tái)用于放置用銫鉛溴納米晶膠體溶液干結(jié)而成納米晶薄膜，透鏡的焦面位于工作臺(tái)的臺(tái)面上，激光器用于發(fā)出400nm的激光，激光通過透鏡聚焦在所述納米晶薄膜上，光纖探頭的探測端的中軸線與所述臺(tái)面呈10?60度夾角，所述光纖探頭用于接收所述納米晶薄膜的發(fā)射光，并將所述發(fā)射光傳送給光譜儀。通過在工作臺(tái)上放置納米晶薄膜，利用激光器發(fā)出400nm的激光，使得納米晶薄膜應(yīng)激發(fā)出發(fā)射光，通過與臺(tái)面呈一定角度的光纖探頭對所述發(fā)射光進(jìn)行接收，并將發(fā)射光傳送給光譜儀，通過光譜儀完成對發(fā)射光的探測。本裝置可用于隨機(jī)激光發(fā)射試驗(yàn)中。

鈣鈦礦納米晶隨機(jī)激光發(fā)射機(jī)制的探測方法及裝置 1206     

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本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦納米晶隨機(jī)激光發(fā)射機(jī)制的探測方法及裝置，所述方法包括：采用熱注射法制備出邊長為8nm?12nm的零維銫鉛溴鈣鈦礦納米晶，將所述納米晶分散在環(huán)己烷溶劑中，得到濃度為0.03?0.06mol/L銫鉛溴納米晶膠體溶液；將所述銫鉛溴納米晶膠體溶液滴涂在載片上，干結(jié)得到納米晶薄膜；激光器發(fā)出400nm的激光；所述400nm的激光通過透鏡聚焦在所述納米晶薄膜上，所述納米晶薄膜應(yīng)激得到發(fā)射光；光纖探頭對所述發(fā)射光進(jìn)行接收，并傳送到光譜儀中。裝置包括：激光器、工作臺(tái)、光纖探頭、透鏡、光譜儀。本發(fā)明創(chuàng)造的方法及其裝置可對納米晶的隨機(jī)激光發(fā)射機(jī)制進(jìn)行簡單的探測?？捎糜陔S機(jī)激光發(fā)射試驗(yàn)中。

二維鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法 903     

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本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，公開了二維鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該二維鈣鈦礦薄膜的反溶劑制備方法，包括以下步驟：(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進(jìn)行改性處理，制得改性的基底；(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱，然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，再滴加反溶劑，反應(yīng)，退火，制得所述二維鈣鈦礦薄膜；所述反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種。在二維鈣鈦礦薄膜上制備電極，制得光電探測器。該光電探測器的響應(yīng)時(shí)間低于85ms，經(jīng)過近90次循環(huán)光電流衰減不到7.7％，最佳響應(yīng)度為200?670μA/W，最大光電流為3.5?13.2nA。

鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法 862     

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本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，公開了鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該反溶劑制備方法，包括以下步驟：(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進(jìn)行改性處理，制得改性的基底；(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱，然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，再滴加反溶劑，反應(yīng)，退火，制得鈣鈦礦薄膜；反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種；退火的溫度為78?122℃。光電探測器具有良好的光電性能，同時(shí)具有高的響應(yīng)度、外量子效率和比探測率，光電探測器的響應(yīng)度為200?700μA/W，外量子效率大于0.01，比探測率為108?109Jones。