權(quán)利要求書： 1.一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法，其特征在于，所述內(nèi)襯層包括涂覆在反應(yīng)器內(nèi)側(cè)的內(nèi)襯材料層和涂覆在所述內(nèi)襯材料層表面的內(nèi)襯涂層； 其中，所述內(nèi)襯材料層由內(nèi)襯材料經(jīng)物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積中的一種或多種方法處理沉積在反應(yīng)器內(nèi)側(cè)得到； 其中，所述內(nèi)襯涂層由內(nèi)襯涂層前驅(qū)體制備得到，所述內(nèi)襯涂層前驅(qū)體的制備包括如下步驟：S1、將液體硅酸鉀和硅溶膠混合攪拌均勻，得物料1； S2、先將累托石干燥，隨后加入NaOH，混合均勻后進行煅燒，得改性填料； S3、將氧化鎂、氧化鋯和步驟S2中所得改性填料加入到物料1中，混合均勻后研磨、過篩，即得內(nèi)襯涂層前驅(qū)體； 其中，所述內(nèi)襯材料為等質(zhì)量的碳化硅和石英的混合物； 其中，所述內(nèi)襯涂層由內(nèi)襯涂層前驅(qū)體經(jīng)噴涂或涂刷后，于20 40℃下固化12 48h制備~ ~得到； 其中，以重量份計，所述內(nèi)襯涂層前驅(qū)體由以下原料制得：80 100份液體硅酸鉀、30 45~ ~份改性填料、20 35份硅溶膠、8 15份氧化鋯、2 4份氧化鎂； ~ ~ ~ 其中，步驟S2中，煅燒溫度為800℃，煅燒時間為2.5 5.5h。 ~ 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法，其特征在于，所述內(nèi)襯涂層的厚度為5 15μm。 ~ 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法，其特征在于，步驟S1中，硅溶膠的粒徑為15 25nm，液體硅酸鉀的模數(shù)為2.6 3.1。 ~ ~ 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法，其特征在于，步驟S2中，氫氧化鈉的加入量為累托石質(zhì)量的20%。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法，其特征在于，步驟S3中，過篩目數(shù)為180 250目。 ~ 6.一種四氯化硅反應(yīng)器，其特征在于，包含采用權(quán)利要求1 5任一項四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)~襯層的制備方法制備得到的內(nèi)襯層，所述內(nèi)襯層位于耐火材料表面，所述耐火材料位于反應(yīng)器內(nèi)壁。 說明書： 一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明屬于反應(yīng)器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種四氯化硅反應(yīng)器內(nèi)襯層的制備方法。背景技術(shù)[0002] 四氯化硅(化學(xué)式SiCl4)是一種無色液體，是生產(chǎn)高純硅(工業(yè)級、