權(quán)利要求書： 1.一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，它包括坩鍋組件、感應(yīng)線圈、保溫套、上輔助加熱件、下輔助加熱件、上保溫盤、下保溫盤，感應(yīng)線圈安裝在保溫套外側(cè)，保溫套內(nèi)部從下往上依次安裝有下保溫盤、下輔助加熱件、坩鍋組件、上輔助加熱件以及上保溫盤，所述上輔助加熱件和下輔助加熱件都設(shè)計(jì)為石墨加熱環(huán)。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，所述感應(yīng)線圈是環(huán)繞狀的導(dǎo)熱銅管。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，所述坩鍋組件與上輔助加熱件之間安裝有隔板；所述坩鍋組件包括坩鍋主體、坩堝蓋、小內(nèi)襯、大內(nèi)襯、上內(nèi)襯、籽晶托、內(nèi)管、對(duì)中片和固定塊，坩鍋主體設(shè)計(jì)成圓柱狀體，坩鍋主體上方中間開有圓形槽，坩鍋主體內(nèi)側(cè)底部安裝有對(duì)中片，對(duì)中片中間設(shè)計(jì)對(duì)中圓孔，固定塊下端安裝在對(duì)中片的對(duì)中圓孔內(nèi)部，對(duì)中片中間安裝有固定塊，內(nèi)管下端套在固定塊上端，坩鍋主體的上端口部內(nèi)側(cè)設(shè)計(jì)有雙層環(huán)形臺(tái)階，所述大內(nèi)襯設(shè)計(jì)成圓環(huán)體且圓環(huán)體下端設(shè)計(jì)有圓形盤底，圓形盤底中間開有第一圓孔，第一圓孔上端設(shè)計(jì)環(huán)形凸起，圓環(huán)體上端外側(cè)一周設(shè)計(jì)圓形折邊，大內(nèi)襯通過圓形折邊搭載在坩鍋主體口部的雙層環(huán)形臺(tái)階的下層臺(tái)階上面，內(nèi)管的上端插卡在第一圓孔的內(nèi)側(cè)，所述小內(nèi)襯設(shè)計(jì)成空心圓環(huán)且空心圓環(huán)上端設(shè)計(jì)成錐形縮口，小內(nèi)襯下端套在環(huán)形凸起的上端外側(cè)，所述大內(nèi)襯的上端口部內(nèi)側(cè)設(shè)計(jì)第一臺(tái)階，上內(nèi)襯設(shè)計(jì)為圓盤體且圓盤體中間開有通孔，通孔上端開有第二臺(tái)階，上內(nèi)襯一周搭載在第一臺(tái)階上面，所述第二臺(tái)階上面搭載有圓盤狀的籽晶托，所述坩堝蓋蓋在坩鍋主體上面且坩鍋蓋一周位于雙層環(huán)形臺(tái)階的上層臺(tái)階上面，所述坩鍋蓋中間也開有通孔，所述隔板上面也開有通孔。 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，所述內(nèi)管一周設(shè)計(jì)若干細(xì)孔。 5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，所述坩鍋組件、上輔助加熱件、下輔助加熱件都采用等靜壓石墨材料制造。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征在于，所述保溫套、上保溫盤、下保溫盤都采用短纖維硬氈制作成型。 7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高碳化硅生長梯度穩(wěn)定性的石墨裝置，其特征