權(quán)利要求書： 1.一種太陽能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述太陽能電池前驅(qū)體包括：半導體基體和接電點； 所述半導體基體的向光面和/或背光面上具有主柵待鍍區(qū)域和細柵待鍍區(qū)域，所述主柵待鍍區(qū)域與所述細柵待鍍區(qū)域相交； 所述接電點位于在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第一分區(qū)； 所述接電點包括： 圓形導電部，設(shè)置在所述圓形導電部外側(cè)的環(huán)形導電部，以及連接所述圓形導電部和所述環(huán)形導電部的連接導電部。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述半導體基體包括：半導體底板以及覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層； 所述絕緣鈍化層開設(shè)有主柵開口和細柵開口，所述細柵開口暴露出所述半導體底板的區(qū)域形成所述細柵待鍍區(qū)域，所述主柵開口暴露出所述半導體底板的區(qū)域形成所述主柵待鍍區(qū)域； 或， 所述半導體基體包括： 半導體底板； 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上； 細柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接；所述細柵種子層形成所述細柵待鍍區(qū)域； 以及主柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接；所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)； 或， 所述半導體基體包括： 半導體底板； 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上；所述絕緣鈍化層開設(shè)有細柵開口；所述細柵開口暴露出所述半導體底板的區(qū)域形成所述細柵待鍍區(qū)域，以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細柵開口的所述半導體底板電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)； 或， 所述半導體基體包括： 半導體底板； 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上； 細柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接；所述細柵種子層形成所述細柵待鍍區(qū)域； 以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細柵種子層電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述接電點的面積為0.1?10平方毫米。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述主柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域，所述細柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的