權(quán)利要求書： 1.一種制造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：通過濕法氧化在半導(dǎo)體基板的表面上形成氧化硅膜；以及將所述氧化硅膜連續(xù)地暴露于570°C至700°C的范圍內(nèi)的溫度，以對所述氧化硅膜進(jìn)行退火以轉(zhuǎn)換為隧穿層，其中，在退火期間，所述氧化硅膜在第一時段內(nèi)從低于700°C的溫度被加熱至700°C，在第二時段內(nèi)保持在700°C的溫度，并且然后在第三時段內(nèi)冷卻至更低的溫度，其中，所述第一時段內(nèi)的加熱速率高于所述第三時段內(nèi)的冷卻速率，并且其中，所述第一時段為8至12分鐘，并且所述第三時段比所述第一時段更長。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成所述氧化硅膜的步驟中，所述半導(dǎo)體基板的表面被暴露于由液體氧化劑制成的化學(xué)溶液。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的步驟是在60°C至90°C的范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行的。 4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述液體氧化劑是臭氧或過氧化氫。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的溫度低于連續(xù)地暴露所述氧化硅膜的溫度。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體基板包括單晶硅基板。 7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述氧化硅膜上形成多晶硅層。 8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述多晶硅層是通過使用低壓化學(xué)氣相沉積LPCD形成的。 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述多晶硅層是通過在等于或高于600°C的沉積溫度下使用所述LPCD形成的。 10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述多晶硅層的步驟包括以下步驟：形成非晶硅層；以及 對所述非晶硅層進(jìn)行退火，以形成所述多晶硅層。 11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述多晶硅層上形成鈍化膜；以及 形成通過穿透所述鈍化膜而連接到所述多晶硅層的電極。 12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述半導(dǎo)體基板的另一表面處形成摻雜區(qū)域。 13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述摻雜區(qū)域是通過將摻雜劑擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體基板中而形成的。 14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述多晶硅層的導(dǎo)電類型與所述半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相同，并且其中，所述摻雜區(qū)域的導(dǎo)電類型與所述半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反。 說明書：