權(quán)利要求書： 1.一種太陽能電池的制作方法，該太陽能電池包括一第一導(dǎo)電類型襯底，其特征在于，該制作方法包括以下步驟： 步驟S1：在該第一導(dǎo)電類型襯底的一表面上形成氧化層； 步驟S2：在該氧化層上形成多晶硅； 步驟S3：采用第二導(dǎo)電類型摻雜元素對該多晶硅進(jìn)行選擇性摻雜以形成重?fù)诫s區(qū)和輕摻雜區(qū)； 步驟S4：熱處理步驟S3所得的結(jié)構(gòu)； 步驟S5：采用堿性試劑選擇性蝕刻步驟S4所得的多晶硅； 步驟S6：在重?fù)诫s區(qū)上形成電極，其中，步驟S3包括以下步驟：步驟S31：設(shè)置阻擋層，該阻擋層包括鏤空區(qū)域，該阻擋層設(shè)置于束流和工件傳輸裝置之間，該束流的傳輸方向垂直于該工件傳輸裝置的傳輸平面； 步驟S32：工件傳輸裝置傳輸步驟S2所得的待注入結(jié)構(gòu)通過束流以通過離子注入形成選擇性摻雜， 其中該鏤空區(qū)域用于形成該重?fù)诫s區(qū)，束流在該傳輸平面上的投影與入口端的該鏤空區(qū)域在該傳輸平面上的投影部分重疊，該入口端為該鏤空區(qū)域的靠近待注入結(jié)構(gòu)的一端，步驟S5中堿性試劑對重?fù)诫s區(qū)和輕摻雜區(qū)的刻蝕速率之比為1：5-1：100。 2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S5蝕刻后輕摻雜的多晶硅的厚度小于10nm。 3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S5蝕刻后重?fù)诫s的多晶硅的厚度為 10nm-300nm。 4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S1之前還包括：步驟S0：在該第一導(dǎo)電類型襯底的一表面中形成第二導(dǎo)電類型摻雜層； 步驟S1：在該第二導(dǎo)電類型摻雜層上形成該氧化層。 5.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S3中重?fù)诫s區(qū)的離子注入劑量為1e15-2e16/cm2。 6.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S3中輕摻雜區(qū)的離子注入劑量為1e14-5e15/cm2。 7.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S4中熱處理在700℃- 1000℃、氮?dú)夂?或氧氣氣氛下進(jìn)行，熱處理時間1-60分鐘。 8.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S5中堿性試劑為NaOH、KOH或TMAH。 9.一種太陽能電池的制作方法，該太陽能電池包括一第一導(dǎo)電類型襯底，其特征在于，該制作方法包括以下步驟： 步驟S1：在該第