權(quán)利要求書： 1.一種提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其特征在于，所述方法包括：?提供具有處于主體基板(100)的一個(gè)表面上的結(jié)晶固體電解質(zhì)層的主體基板(100)，?將所述結(jié)晶固體電解質(zhì)層從所述主體基板(100)轉(zhuǎn)移到受體基板(203)，其中，層轉(zhuǎn)移技術(shù)(S11)包括將所述主體基板(100)與受體基板(203)組裝的步驟(S2)和將主體基板(100)薄化的步驟(S3)，在所述組裝步驟(S2)中所述結(jié)晶固體電解質(zhì)層位于所述主體基板(100)與所述受體基板(203)之間，其中，所述薄化步驟(S3)包括：在所述主體基板中形成弱化區(qū)(320)從而限定出所述主體基板中包含要轉(zhuǎn)移的層的部分的步驟(S4)，和將所述弱化區(qū)(320)分離從而將所述部分轉(zhuǎn)移到所述受體基板的步驟(S5)，并且其中，所述弱化區(qū)(320)包含所述主體基板(100)中的釋放層(330)，所述釋放層在分離步驟(S5)期間被活化從而發(fā)生分離。 2.如權(quán)利要求1所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其特征在于，所述主體基板(100)包括結(jié)晶固體電解質(zhì)材料的本體基板(101)、或設(shè)置在支持基板(102)上的結(jié)晶固體電解質(zhì)供體層(110)。 3.如權(quán)利要求2所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其特征在于，通過沉積技術(shù)將所述結(jié)晶固體電解質(zhì)供體層(110)設(shè)置在所述支持基板(102)上。 4.如權(quán)利要求2所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其特征在于，通過化學(xué)氣相沉積將所述結(jié)晶固體電解質(zhì)供體層(110)設(shè)置在所述支持基板(102)上。 5.如權(quán)利要求1所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其中，所述分離步驟(S5)通過至少一種以下方式實(shí)施：退火，施加熱應(yīng)力，施加機(jī)械應(yīng)力，應(yīng)用照射手段，以及蝕刻。 6.如權(quán)利要求5所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其中，所述分離步驟(S5)通過應(yīng)用激光束實(shí)施。 7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其中，所述結(jié)晶固體電解質(zhì)材料的離子電導(dǎo)率大于0.01S/cm。 8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的提供結(jié)晶固體電解質(zhì)層(111)的方法，其中，所述結(jié)晶固體電解質(zhì)材料的對(duì)于氫離子、氧離子、鋰離子或鈉離子的離子電導(dǎo)率大于0.01S/cm。 9.如權(quán)利要求1