權(quán)利要求書： 1.一種微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多個(gè)凸峰、多個(gè)型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇，兩個(gè)相鄰的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結(jié)晶簇位于所述凸峰頂部，其中每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米； 其中，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.3微米。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇沿其自身高度方向的所述微結(jié)晶平均堆疊數(shù)量是15個(gè)以下；所述微結(jié)晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結(jié)晶簇形成有分岔結(jié)構(gòu)。 4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。 5.一種銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板包括：一基材；以及 一微粗糙電解銅箔，其包括一貼附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多個(gè)凸峰、多個(gè)型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇，兩個(gè)相鄰的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結(jié)晶簇位于所述凸峰頂部，其中每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米； 其中，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.635db/in； 其中，所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強(qiáng)度大于3lb/in。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.935db/in。 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于8GHz的介入損失介于 0至-0.31db/in，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強(qiáng)度大于3.5lb/in。 8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.42db/in，所述銅箔基