權(quán)利要求 1.一種單晶硅的磨削方法，其特征在于：包括， 將硅棒切割分為多個硅片樣本; 硅片樣本的磨削區(qū)域?yàn)閳A形，切割的厚度以制造行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)來定，若在集成電路制造中，硅片的厚度在75100微米之間; 若在光伏行業(yè)的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米(0.15毫米到0.2毫米)之間; 設(shè)定硅片樣本的磨削階段，分為磨削準(zhǔn)備階段、磨削加工階段與磨削后處理階段; 獲取n個硅片樣本，進(jìn)行編號，生成硅片樣本集合E，表示為E={，，...，}，其中表示為第i個硅片樣本，n為硅片樣本個數(shù); 將硅片樣本的切割面標(biāo)記為磨削面，磨削面表面為圓形; 設(shè)定投射時間間隔，記為Q; 設(shè)置投射光源對磨削面進(jìn)行投射的角度范圍區(qū)間，為[0°，180°]; 在磨削面上設(shè)置兩條相互垂直的基準(zhǔn)線，分別記為基準(zhǔn)線P與基準(zhǔn)線I; 基準(zhǔn)線的交點(diǎn)設(shè)置在磨削面的圓心處; 將基準(zhǔn)線P標(biāo)記為縱向線，基準(zhǔn)線I標(biāo)記為橫向線; 在磨削面上，作垂直于縱向線的半圓形截面，標(biāo)記為截面Z，作垂直于橫向線的半圓截面，標(biāo)記為截面X; 通過投射光源沿著半圓形截面進(jìn)行投射，投射方式分為第一投射方式與第二投射方式; 所述第一投射方式為，投射光源沿著截面Z上的邊緣對磨削面進(jìn)行投射; 所述第二投射方式為，投射光源沿著截面X上的邊緣對磨削面進(jìn)行投射; 根據(jù)兩種投射方式，通過投射光源對磨削面進(jìn)行投射，獲取第一投射方式與第二投射方式生成的光照分析圖集合，分別記為光照分析圖集合U與光照分析圖集合Y; 所述光照分析圖為，投射光源在某一角度向磨削面進(jìn)行投射形成的光照區(qū)域，該光照區(qū)域用于獲取磨削面的凸起區(qū)域以及凹陷區(qū)域; 凹陷區(qū)域由于低于周圍表面，投射光源進(jìn)行照射時，凹陷的底部無法被直接照亮，導(dǎo)致陰影區(qū)域加深，凹陷區(qū)域的邊緣較陡，投射光源會在邊緣處聚焦，使得凹陷邊緣出現(xiàn)明亮的高光區(qū)域。 2.根據(jù)光照分析圖集合U與集合Y，獲取磨削面上的凸起區(qū)域與凹陷區(qū)域; 在磨削加工階段開始時，針對凸起區(qū)域與凹陷區(qū)域，執(zhí)行磨削策略。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅的磨削