權(quán)利要求 1.一種基于垂直硅納米線的全環(huán)柵光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括： 襯底，以垂直硅納米線作為溝道，每一根納米線的兩端分別與源漏極相連; 二維膜層柵極，以具備半導體性質(zhì)的二維材料膜層構(gòu)成，垂直硅納米線穿過二維材料膜層。 2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述的SOI襯底頂層硅摻雜濃度為1012~1016 cm-3，電阻率在1~100 Ω·cm之間，厚度為50~2000nm;頂層硅上表面存在重摻區(qū)域，摻雜濃度大于1017 cm-3，電阻率小于0.001 Ω·cm，厚度為10-200 nm。 3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述垂直硅納米線通過電子束光刻技術(shù)和紫外光刻技術(shù)并結(jié)合深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)均勻制備，其直徑在10~800 nm。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述二維材料膜層與垂直硅納米線呈正交關(guān)系，且通過原子力顯微鏡球探針界面處理技術(shù)，使垂直硅納米線穿過二維材料膜層，由此形成二維材料膜層以原子層厚度環(huán)繞硅納米線的全環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，所述二維材料膜層位于所述垂直硅納米線的中部。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源漏電極和二維膜層柵極的外接電極均采用同一種金屬材料制成，根據(jù)具體應(yīng)用情況按照導電性、穩(wěn)定性和機械柔性選擇金、鉻、鉑、鋁、鈦、和鎵銦共晶中的一種材料制備電極。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述二維材料膜層采用MoS2、MoTe2、ReS2、WSe2、WS2或石墨烯薄膜，所述二維材料膜層作為全環(huán)繞柵極，實現(xiàn)具有亞納米尺度的短溝道光伏場效應(yīng)晶體管。 7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述單根垂直硅納米線穿過兩層、三層或多層獨立式二維材料膜層形成雙柵、三柵或多柵環(huán)繞結(jié)構(gòu)。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述的襯底經(jīng)過微納加工呈現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)，微納結(jié)構(gòu)包括納米線、納米管、納米棒、納米錐或納米柱，直徑為10~800nm，高度為40~1000nm，具有更大的比表面積。 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏場效應(yīng)晶體管，其特征在于，襯底中源極是公共端，二維膜層柵極