權(quán)利要求 1.一種采用圖形化金屬襯底的半導(dǎo)體激光芯片，包括芯片襯底(3)以及位于芯片襯底(3)頂部的多個(gè)發(fā)光單元(4);多個(gè)所述發(fā)光單元(4)沿芯片襯底(3)長(zhǎng)度或?qū)挾确较蚓鶆虿荚O(shè)，相互平行設(shè)置，且相鄰兩個(gè)發(fā)光單元(4)之間設(shè)置有間隔;所述芯片襯底(3)的下表面設(shè)置有焊料層(2)，焊料層(2)的下表面設(shè)置有熱沉(1)，所述芯片襯底(3)通過(guò)焊料層(2)固定在熱沉(1)的上表面，其特征在于： 所述芯片襯底(3)上設(shè)置有多個(gè)刻蝕槽，所述刻蝕槽的深度方向沿芯片襯底(3)厚度方向設(shè)置，多個(gè)刻蝕槽分別位于多個(gè)發(fā)光單元(4)下側(cè)，并與發(fā)光單元(4)的位置相對(duì)應(yīng); 多個(gè)所述刻蝕槽內(nèi)分別設(shè)置有與其形狀相適配的沉積金屬層(5)，所述沉積金屬層(5)的底端面與芯片襯底(3)的下表面平齊且與焊料層(2)的上表面接觸; 所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，其頂部寬度為發(fā)光單元(4)寬度的10%-150%，發(fā)光單元(4)的底部對(duì)應(yīng)與芯片襯底(3)、沉積金屬層(5)均相接; 或者，所述刻蝕槽的深度不小于芯片襯底(3)厚度的50%，其頂部寬度為發(fā)光單元(4)寬度的10%-150%，且開(kāi)口朝下設(shè)置，發(fā)光單元(4)的底部與芯片襯底(3)的頂部相接。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導(dǎo)體激光芯片，其特征在于： 所述刻蝕槽在垂直于發(fā)光單元(4)長(zhǎng)度方向的豎直平面內(nèi)的投影形狀為矩形、等腰梯形或階梯形。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導(dǎo)體激光芯片，其特征在于： 所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，刻蝕槽的頂部寬度大于等于發(fā)光單元(4)寬度的10%，小于等于發(fā)光單元(4)寬度的50%，一個(gè)發(fā)光單元(4)的底面設(shè)置有多個(gè)刻蝕槽，多個(gè)刻蝕槽的布設(shè)方向與發(fā)光單元(4)布設(shè)方向相同且多個(gè)刻蝕槽相互平行設(shè)置，相鄰兩個(gè)刻蝕槽的距離為刻蝕槽頂部寬度的50%-100%; 或者，所述刻蝕槽的深度與芯片襯底(3)的厚度相同，刻蝕槽的頂部寬度大于發(fā)光單元(4)寬度的50%，小于等于發(fā)光單元(4)寬度的150%，一個(gè)發(fā)光單元(4)的底面設(shè)置有一個(gè)刻蝕槽。 4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用圖形化金屬襯底的半導(dǎo)體激光芯片，其特征在